Effect of p-doping on the intensity noise of epitaxial quantum dot lasers on silicon - Equipe Télécommunications Optiques Accéder directement au contenu
Article Dans Une Revue Optics Letters Année : 2020

Effect of p-doping on the intensity noise of epitaxial quantum dot lasers on silicon

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Sciences de l'ingénieur [physics]

Jianan Duan  : Connectez-vous pour contacter le contributeur

https://telecom-paris.hal.science/hal-02957717

Soumis le : lundi 5 octobre 2020-13:12:40

Dernière modification le : mercredi 13 mars 2024-18:24:17

Fichier non déposé

Dates et versions

hal-02957717 , version 1 (05-10-2020)

Identifiants

  • HAL Id : hal-02957717 , version 1

Citer

Jianan Duan, Yueguang Zhou, Bozhang Dong, Heming Huang, Justin C Norman, et al.. Effect of p-doping on the intensity noise of epitaxial quantum dot lasers on silicon. Optics Letters, 2020. ⟨hal-02957717⟩

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