Frequency and Voltage Effects on SER on a 65nm Sparc-V8 Microprocessor Under Radiation Test - Télécom Paris Accéder directement au contenu
Communication Dans Un Congrès Année : 2015

Frequency and Voltage Effects on SER on a 65nm Sparc-V8 Microprocessor Under Radiation Test

Cyril Bottoni
  • Fonction : Auteur
Secure and Safe Hardware
Département Communications & Electronique
Benjamin Coeffic
  • Fonction : Auteur
Jean-Marc Daveau
  • Fonction : Auteur
Gilles Gasiot
  • Fonction : Auteur
F. Abouzeid
S. Clerc
  • Fonction : Auteur
Lirida Naviner
CV
Philippe Roche
  • Fonction : Auteur

Domaines

Micro et nanotechnologies/Microélectronique

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https://telecom-paris.hal.science/hal-02287890

Soumis le : vendredi 13 septembre 2019-17:27:59

Dernière modification le : jeudi 15 février 2024-11:29:03

Fichier non déposé

Dates et versions

hal-02287890 , version 1 (13-09-2019)

Identifiants

  • HAL Id : hal-02287890 , version 1

Citer

Cyril Bottoni, Benjamin Coeffic, Jean-Marc Daveau, Gilles Gasiot, F. Abouzeid, et al.. Frequency and Voltage Effects on SER on a 65nm Sparc-V8 Microprocessor Under Radiation Test. Proceedings of IEEE International Reliability Physics Symposium (IRPS), Apr 2015, Monterrey, CA, United States. ⟨hal-02287890⟩

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