Single-event transient effects on dynamic comparator in 28nm FDSOI CMOS technology - Télécom Paris Accéder directement au contenu
Article Dans Une Revue Microelectronics Reliability Année : 2018

Single-event transient effects on dynamic comparator in 28nm FDSOI CMOS technology

Domaines

Micro et nanotechnologies/Microélectronique Electronique

TelecomParis HAL  : Connectez-vous pour contacter le contributeur

https://telecom-paris.hal.science/hal-02287982

Soumis le : vendredi 13 septembre 2019-17:33:46

Dernière modification le : jeudi 15 février 2024-11:29:03

Fichier non déposé

Dates et versions

hal-02287982 , version 1 (13-09-2019)

Identifiants

  • HAL Id : hal-02287982 , version 1

Citer

Nilson Maciel, Elaine Crespo Marques, Lirida Naviner, Hao Cai. Single-event transient effects on dynamic comparator in 28nm FDSOI CMOS technology. Microelectronics Reliability, 2018, 88-90, pp.965-968. ⟨hal-02287982⟩

Exporter

BibTeX XML-TEI Dublin Core DC Terms EndNote DataCite

Collections

INSTITUT-TELECOM PARISTECH UNIV-PARIS-SACLAY LTCI COMELEC SSH
19 Consultations
0 Téléchargements

Partager

Gmail Facebook X LinkedIn More