Gain compression effect on the modulation dynamics of an optically injection-locked semiconductor laser using gain ever - Télécom Paris Accéder directement au contenu
Communication Dans Un Congrès Année : 2016

Gain compression effect on the modulation dynamics of an optically injection-locked semiconductor laser using gain ever

Domaines

Optique / photonique

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https://telecom-paris.hal.science/hal-02412226

Soumis le : dimanche 15 décembre 2019-12:51:16

Dernière modification le : lundi 9 octobre 2023-12:49:44

Fichier non déposé

Dates et versions

hal-02412226 , version 1 (15-12-2019)

Identifiants

  • HAL Id : hal-02412226 , version 1

Citer

Jean-Maxime Sarraute, Kevin Schires, Sophie Larochelle, Frédéric Grillot. Gain compression effect on the modulation dynamics of an optically injection-locked semiconductor laser using gain ever. Photonics West, Oct 2016, San Francisco, California, United States. ⟨hal-02412226⟩

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