Impact des effets de pièges sur la dynamique grand signal des transistors à effet de champ sur Nitrure de Gallium - Télécom Paris Accéder directement au contenu
Communication Dans Un Congrès Année : 2013

Impact des effets de pièges sur la dynamique grand signal des transistors à effet de champ sur Nitrure de Gallium

Raymond Quéré
  • Fonction : Auteur
Tibault Reveyrand
  • Fonction : Auteur
Philippe Bouysse
  • Fonction : Auteur
P. Nakkala
  • Fonction : Auteur
Audrey Martin
  • Fonction : Auteur
Olivier Jardel
  • Fonction : Auteur
Jean Michel Nébus
  • Fonction : Auteur
Eric Bergeault
  • Fonction : Auteur
  • PersonId : 949137
Radio-Fréquences Microondes et Ondes Millimétriques
Département Communications & Electronique
Michel Campovecchio
  • Fonction : Auteur

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Electronique Electromagnétisme Matériaux Micro et nanotechnologies/Microélectronique

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Soumis le : dimanche 15 décembre 2019-15:05:27

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  • HAL Id : hal-02412488 , version 1

Citer

Raymond Quéré, Tibault Reveyrand, Philippe Bouysse, P. Nakkala, Audrey Martin, et al.. Impact des effets de pièges sur la dynamique grand signal des transistors à effet de champ sur Nitrure de Gallium. JNM2013, May 2013, Paris, France. ⟨hal-02412488⟩

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